教育背景：

2004年9月至2008年6月 物理学学士 浙江大学

2008年9月至2010年6月 物理学硕士 浙江大学

2011年4月至2014年3月 物理学博士 德国亚琛工业大学

工作简历： 

2017年4月至今      教授      银河国际4556

2015年5月至2017年3月 特聘研究员 银河国际4556

2014年4月至2015年4月 博士后研究员 德国亚琛工业大学 

研究领域：先进电子材料

(1)用于数据存储、内存芯片的相变存储材料、拓扑存储材料

(2)电子材料的第一性原理计算 (DFT, DFMD)

科研荣誉：

2015年 银河国际4556“青年拔尖人才”学者

2015年 Borchers奖章，德国亚琛工业大学颁发

代表论文：

 1.       F. Rao,* K. Y. Ding, Y. X. Zhou, Y. H. Zheng, M. J. Xia, S. L. Lv, Z. T. Song,* S. L. Feng, I. Ronneberger, R. Mazzarello, W. Zhang* and E. Ma, "Reducing the stochasticity of crystal nucleation to enable subnanosecond memory writing", Science, 358, 1423-1427 (2017)

2.       W. Zhang, A. Thiess, P. Zalden, R. Zeller, P. H. Dederichs, J.-Y. Raty, M. Wuttig*, S. Blügel, and R. Mazzarello*, "Role of vacancies in metal-insulator transitions of crystalline phase-change materials", Nature Materials 11, 952 (2012)

3.       W. Zhang, I. Ronneberger, Y. Li, and R. Mazzarello*, "Magnetic properties of crystalline and amorphous phase-change materials doped with 3d impurities", Advanced Materials 24, 4387 (2012)

4.       W. Zhang*, Volker L. Deringer, Richard Dronskowski, Riccardo Mazzarello, Evan Ma, Matthias Wuttig, "Density functional theory guided advances in phase-change materials and memories", MRS Bulletin, 40, 856-869 (2015).

5.       Y. Li, W. Zhang, M. Morgenstern, and R. Mazzarello*, "Electronic and magnetic properties of zigzag graphene nanoribbons on the (111) surface of Cu, Ag and Au", Phys. Rev. Lett. 110, 216804 (2013)

6.       V.-L. Deringer, W. Zhang, M. Lumeij, S. Maintz, M. Wuttig, R. Mazzarello,* R. Dronskowski*,"Bonding Nature of Local Structural Motifs in Amorphous GeTe". Angew. Chem. Int. Ed. 53, 10817-10820 (2014)

7.       J.-Y. Raty, W. Zhang, J. Luckas, R. Mazzarello, C. Bichara, M. Wuttig, "Aging mechanisms in amorphous phase-change materials", Nature Communications 6, 7467 (2015)

8.       I. Ronneberger, W. Zhang, H. Eshet, R. Mazzarello*, "Crystallization properties of Ge2Sb2Te5 phase-change compound from advanced simulations", Adv. Funct. Mater. 40, 6407-6413 (2015)

9.       M. Xu*, W. Zhang, R. Mazzarello and M. Wuttig*, "Disorder Control in Crystalline GeSb2Te4 using High Pressure", Advanced Science 2, 1500117 (2015)

10.  Y.-C. Wang, W. Zhang*, L.-Y. Wang, Z. Zhuang, E. Ma, J. Li, Z.-W. Shan*, "In situ TEM study of deformation-induced crystalline-to-amorphous transition in silicon", NPG Asia Materials, 8, e291 (2016)