一、研究领域或方向

(1)  低维介观量子体系材料、器件的电磁声光元激发和量子输运理论；

(2) 低维介观量子体系材料、器件的仿真和模拟（ab-initio，micro-magnetic， compact）；

(3)  新材料（石墨烯，拓扑绝缘体、MX2，磁性超薄膜等）的埃米生长技术（磁控溅射， ALD,CVD）和物理表征（<1K 低温>60特斯拉高磁场，飞秒激光激发，STM，MFM， FMR）；

(4)  5纳米以下量子器件工艺研发；

(5)  量子计算、类脑计算与存储系统设计、优化和应用技术的研究和开发；

(6)  磁性生化医疗microfluidic测试系统的研究和开发。

二、教育工作经历

2015.03-今：银河国际4556 教授。

2013.01-2014.12：欧洲微电子研究中心 IMEC STT-MARAM/自旋电子学项目总监

2002.02-2012.12：美国TDK集团 Headway Technologies 高级主管/总监/首席技术专家/设计与测试

2000.09-2002.02：美国美商威世通股份有限公司 WaveSplitter Technologies Inc. 团队领导/高级工程师

1998.04-2000.09：美国TDK集团 Headway Technologies 产品设计总监/首席技术专家

1996.10-1998.04：美国ReadRite Co. 经理/器件设计和建模

1993.08-1996.10：美国Quantum Recording Head Group 首席工程师/高级硬件工程师

1985.07-1993.07：美国明尼苏达大学电子系博士

1981.09-1985.06：中国科学技术大学物理系学士

三、学术成果介绍

闵泰教授作为首席专家联合北京兆易创新科技股份有限公司、中电海康集团有限公司、福建省电子信息（集团）等行业龙头企业共同承担国家重点研发计划“高密度磁存储材料及集成技术研究”项目，项目总经费7419万元。参与徐宗本院士牵头的鹏城国家实验室“网络通信的数理基础”重大项目，承担该项目课题3“新型矩阵向量乘法存内计算芯片技术”的相关研究任务，课题经费2843余万元。参与国家重点研发计划项目2项，牵头承担陕西省重点研发计划2项，并与华为海思/鸿之微共同进行存储器研究等。在Adv.Mater.、Phys. Rev. Lett.、Nat. Commun.、Nano Lett.、Phys. Rev. B等国际期刊发表学术论文60余篇；拥有70余项美国MRAM核心技术专利，10余项中国专利。担任《中国科学：物理学 力学 天文学》《电子元器件与材料》期刊编委，获得2019年度《中国科学：物理学、力学、天文学》优秀编委。