时间：2019年11月14日10:30-11:30

地点：强度楼（银河国际4556）210会议室

摘要：具有高迁移率的二维材料有望取代硅材料成为新一代电路基本材料,但要使其兼具信息非易失性记忆功能则需要加入铁性(铁磁,铁电, 铁弹)，也可解决硅基内存进一步小型化后棘手的量子隧穿和散热问题。 目前的多数铁磁性二维材料居里温度难以达到室温,而二维材料的铁电性和铁弹性在之前鲜有相关研究。自2013年预测出第一个二维范德华铁电体以来，我们通过第一性原理计算已陆续设计出一系列二维铁电/铁弹/多铁体，并有部分得到实验证实，其中不少同时是高迁移率半导体，且在低维仍具有较高居里温度,因而有望绕开铁磁性二维材料面临的问题。相比传统铁电体，二维铁电体有望和半导体电路更好地结合。 二维版的各种多铁耦合，多铁隧穿结等器件也得到了预测和设计，其性能甚至有望超过三维的版本

简介：吴梦昊教授, 男, 2007年本科毕业于南京大学, 2011年博士毕业于内布拉斯加大学林肯分校, 之后三年分别在弗吉尼亚联邦大学和麻省理工学院从事博士后研究, 2014年年底成为华中科技大学物理学院教授, 目前主要研究方向为二维铁电/多铁体的理论计算。已在JACS(4)、Nano Letters(5)、ACS Nano(2)、AFM、PRB等著名杂志发表50余篇铁电/多铁研究论文。